Tranzistor bipolar cu poartă izolată cu diodă ultrarapidă

Tehnologia Trench IGBT Low VCE (ON).

Pierderi reduse la comutare

Pătrat RBSOA

100% din piesele testate pentru curent nominal de 4X (ILM)

Coeficient de temperatură VCE (ON) pozitiv

Diodă co-pack ultrarapidă cu recuperare moale

Distribuție strânsă a parametrilor

Eficiență ridicată într-o gamă largă de aplicații

EMI scăzut

5µs SOA în scurtcircuit